ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FFH30S60STU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FFH30S60STU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FFH30S60STU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.6 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 40 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FFH30S60STU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FFH30S60STU | SBR5E45P5-7D | FFH60UP40S | FFH60UP60S3 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Diodes Incorporated | onsemi | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-2 | PowerDI™ 5 | TO-247-2 | TO-247-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 45 V | 400 V | 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | PowerDI™ 5 | TO-247-2 | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| เทคโนโลยี | Standard | Super Barrier | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 40 ns | - | 85 ns | 80 ns |
| ชุด | - | SBR® | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.6 V @ 30 A | 600 mV @ 5 A | 1.3 V @ 60 A | 1.7 V @ 60 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 5A | 60A | 60A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | 280 µA @ 45 V | 100 µA @ 400 V | 100 µA @ 600 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
SBR5E45P5-7DDiodes IncorporatedDIODE SBR 45V 5A POWERDI5FFH60UP40SonsemiDIODE GEN PURP 400V 60A TO247-2FFH60UP60S3onsemiDIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3
S1D-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMA
FFH30S60SFairchild (onsemi)FFH60UP40S3onsemiDIODE GEN PURP 400V 60A TO247-3FFH60UP60SonsemiDIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2FFH50US60SFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2FFH50US60SonsemiDIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2
MURS160T3onsemiDIODE ULTRA FAST 1A 600V SMBFFH30S60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2FFH30US30DNonsemiDIODE ARRAY GP 300V 30A TO247AD
BAT54WS-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323FFH75H60SonsemiDIODE GEN PURP 600V 75A TO247-2
BYS459B-1500E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 1.5KV 6.5A TO263ABFFH60UP60C3AMI Semiconductor/onsemiFFH60UP40S3Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 60A TO247FFH15S60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 15A TO247-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที