ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FFH50US60S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FFH50US60S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FFH50US60S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.54 V @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 124 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FFH50US60S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FFH50US60S | BYG10J-M3/TR | 1N3262 | B330LA-E3/61T |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.54 V @ 50 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.3 V @ 300 A | 500 mV @ 3 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 75 µA @ 150 V | 500 µA @ 30 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50A | 1.5A | 275A | 3A |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 150 V | 30 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-2 | DO-214AC (SMA) | DO-9 | DO-214AC (SMA) |
| เทคโนโลยี | Standard | Avalanche | Standard | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | DO-214AC, SMA | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-214AC, SMA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Box | Tape & Reel (TR) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 150°C |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 124 ns | 4 µs | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount |
BYG10J-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
FFH30US30DNonsemiDIODE ARRAY GP 300V 30A TO247ADFFH60UP60C3AMI Semiconductor/onsemi1N3262Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 275A DO9B330LA-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214ACFFH15S60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 15A TO247-2
FFH30S60STUFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 30A, 6FFH75H60SonsemiDIODE GEN PURP 600V 75A TO247-2FFH30S60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2FFH60UP60S3onsemiDIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3
GSD2004WS-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 240V 225MA SOD323FFH30S60SFairchild (onsemi)FFH60UP40S3Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 60A TO247FFH60UP40S3onsemiDIODE GEN PURP 400V 60A TO247-3
DPG30IM300PCIXYS CorporationDIODE GEN PURP 300V 30A TO263FFH60UP40SonsemiDIODE GEN PURP 400V 60A TO247-2FFH60UP60SonsemiDIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2FFH50US60SonsemiDIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที