ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH40N120ANTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGH40N120ANTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGH40N120ANTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.2V @ 15V, 40A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 40A, 5Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/110ns | |
| การสลับพลังงาน | 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 417 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 220 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 64 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGH40N120ANTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH40N120ANTU | FGH30N6S2D | FGH40N60SMD | FGH30N60LSDTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| การสลับพลังงาน | 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) | 55µJ (on), 100µJ (off) | 870µJ (on), 260µJ (off) | 1.1mJ (on), 21mJ (off) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH40 | FGH30 | FGH40N60 | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247 |
| ประเภท IGBT | NPT | - | Field Stop | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.2V @ 15V, 40A | 2.5V @ 15V, 12A | 2.5V @ 15V, 40A | 1.4V @ 15V, 30A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/110ns | 6ns/40ns | 12ns/92ns | 18ns/250ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | 108 A | 120 A | 90 A |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 40A, 5Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 400V, 40A, 6Ohm, 15V | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 417 W | 167 W | 349 W | 480 W |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 220 nC | 23 nC | 119 nC | 225 nC |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 64 A | 45 A | 80 A | 60 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGH40N120ANTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGH40N120ANTU - onsemi
FGH30N60S2Fairchild (onsemi)FGH30N6S2DonsemiIGBT 600V 45A 167W TO247FGH40N60SMDonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3FGH30N60LSDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH40N120ANFairchild (onsemi)FGH40N60AMI Semiconductor/onsemiFGH40N60UFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3FGH40N60UFDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH40N60SMDFonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3FGH30S130PonsemiIGBT 1300V 60A 500W TO-247ABFGH30N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH40N60UFAMI Semiconductor/onsemiFGH40N60SFFairchild (onsemi)FGH30N6S2onsemiIGBT 600V 45A 167W TO247FGH30T65UPDTFairchild (onsemi)FGH40N60SFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3FGH30N60LSDTUonsemiIGBT 600V 60A TO247-3FGH30S150PonsemiFGH30S150P - IGBT, 1500 V, 30 A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที