ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH30N6S2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGH30N6S2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGH30N6S2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 12A | |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 6ns/40ns | |
| การสลับพลังงาน | 55µJ (on), 100µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 167 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 23 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 108 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 45 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGH30N6S2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH30N6S2 | FGH30N6S2 | FGH30N6S2D | FGH30S150P |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 45 A | 45 A | 45 A | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 167 W | 167 W | 167 W | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH30 | - | FGH30 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| การสลับพลังงาน | 55µJ (on), 100µJ (off) | 55µJ (on), 100µJ (off) | 55µJ (on), 100µJ (off) | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 6ns/40ns | 6ns/40ns | 6ns/40ns | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.5V @ 15V, 12A | 2.5V @ 15V, 12A | 2.5V @ 15V, 12A | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 108 A | 108 A | 108 A | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 23 nC | 23 nC | 23 nC | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGH30N6S2 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGH30N6S2 - onsemi
FGH30N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH30N6S2DonsemiIGBT 600V 45A 167W TO247FGH40N60AMI Semiconductor/onsemiFGH30N60LSDFairchild (onsemi)FGH30N60S2Fairchild (onsemi)FGH30N120FTDFairchild (onsemi)FGH30S150PonsemiFGH30S150P - IGBT, 1500 V, 30 AFGH30N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 60A 339W TO247FGH25T120SMDFairchild (onsemi)FGH40N120ANFairchild (onsemi)FGH30N60LSDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH25T120SMD-F155onsemiIGBT 1200V 50A 428W TO247-3FGH30S130PonsemiIGBT 1300V 60A 500W TO-247ABFGH40N120ANTUonsemiIGBT NPT 1200V 64A TO247-3FGH40N60SFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3FGH30T65UPDTFairchild (onsemi)FGH30N60LSDTUonsemiIGBT 600V 60A TO247-3FGH30N120FTDTUFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที