ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH30N60LSDTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - FGH30N60LSDTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - FGH30N60LSDTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.4V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 18ns/250ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.1mJ (on), 21mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 480 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 225 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 90 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi FGH30N60LSDTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH30N60LSDTU | FGH20N6S2D | FGH30N6S2 | FGH20N6S2D |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 90 A | 40 A | 108 A | 40 A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 480 W | 125 W | 167 W | 125 W |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.4V @ 15V, 30A | 2.7V @ 15V, 7A | 2.5V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 7A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 31 ns | - | 31 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FGH30 | FGH20 | FGH30 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247 |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 18ns/250ns | 7.7ns/87ns | 6ns/40ns | 7.7ns/87ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 225 nC | 30 nC | 23 nC | 30 nC |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| การสลับพลังงาน | 1.1mJ (on), 21mJ (off) | 25µJ (on), 58µJ (off) | 55µJ (on), 100µJ (off) | 25µJ (on), 58µJ (off) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | 28 A | 45 A | 28 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FGH30N60LSDTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ FGH30N60LSDTU - onsemi
FGH20N6S2DonsemiIGBT 600V 28A 125W TO247FGH30N60S2Fairchild (onsemi)FGH30N6S2onsemiIGBT 600V 45A 167W TO247FGH25T120SMDFairchild (onsemi)FGH20N6S2DFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH40N120ANTUonsemiIGBT NPT 1200V 64A TO247-3FGH25T120SMD-F155onsemiIGBT 1200V 50A 428W TO247-3FGH30N6S2DonsemiIGBT 600V 45A 167W TO247FGH30N60LSDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH30N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH30S150PonsemiFGH30S150P - IGBT, 1500 V, 30 AFGH30N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 60A 339W TO247FGH30T65UPDTFairchild (onsemi)FGH30N60LSDFairchild (onsemi)FGH30N120FTDTUFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH25N120FTDSonsemiIGBT 1200V 50A 313W TO247FGH30N120FTDFairchild (onsemi)FGH30S130PonsemiIGBT 1300V 60A 500W TO-247AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที