ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG18N120BND
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HGTG18N120BND คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HGTG18N120BND
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 18A | |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/170ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 390 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 165 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 54 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG18N120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HGTG18N120BND
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG18N120BND | HGTG18N120BN | HGTG11N120CND | HGTG18N120BN |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 165 nC | 165 nC | 100 nC | 165 nC |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | - | 70 ns | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 54 A | 54 A | 43 A | 54 A |
| ประเภท IGBT | NPT | NPT | NPT | NPT |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 160 A | 165 A | 80 A | 165 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| การสลับพลังงาน | 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) | 800µJ (on), 1.8mJ (off) | 950µJ (on), 1.3mJ (off) | 800µJ (on), 1.8mJ (off) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 390 W | 390 W | 298 W | 390 W |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | 960V, 18A, 3Ohm, 15V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG18N120 | HGTG18 | HGTG11 | HGTG18 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 18A | 2.7V @ 15V, 18A | 2.4V @ 15V, 11A | 2.7V @ 15V, 18A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/170ns | 23ns/170ns | 23ns/180ns | 23ns/170ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HGTG18N120BND PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HGTG18N120BND - onsemi
HGTG18N120BNonsemiIGBT 1200V 54A 390W TO247HGTG20N120CNDFairchild (onsemi)HGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3HGTG18N120BNFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-HGTG20N60A4DonsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG20N50C1DHarris Corporation26A, 500V, N-CHANNEL IGBTHGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGTG20N50E1DFairchild (onsemi)HGTG20N60Fairchild (onsemi)HGTG18N120Fairchild (onsemi)HGTG20N60B3onsemiIGBT 600V 40A 165W TO247HGTG20N120C3DLINTERSIHGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG20N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG12N60B3DITSHGTG20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO247-3HGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที