ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG18N120BN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HGTG18N120BN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HGTG18N120BN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 18A | |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/170ns | |
| การสลับพลังงาน | 800µJ (on), 1.8mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 390 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 165 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 165 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 54 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG18 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HGTG18N120BN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG18N120BN | HGTG20N50C1D | HGTG18N120BND | HGTG20N60A4 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 23ns/170ns | - | 23ns/170ns | 15ns/73ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | - | 960V, 18A, 3Ohm, 15V | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 390 W | 75 W | 390 W | 290 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 165 A | 35 A | 160 A | 280 A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 54 A | 26 A | 54 A | 70 A |
| การสลับพลังงาน | 800µJ (on), 1.8mJ (off) | - | 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ประเภท IGBT | NPT | - | NPT | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 165 nC | 33 nC | 165 nC | 142 nC |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 500 V | 1200 V | 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG18 | - | HGTG18N120 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 | TO-247 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 18A | 3.2V @ 20V, 35A | 2.7V @ 15V, 18A | 2.7V @ 15V, 20A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HGTG18N120BN PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HGTG18N120BN - onsemi
HGTG12N60B3DITSHGTG20N50C1DHarris Corporation26A, 500V, N-CHANNEL IGBTHGTG18N120BNDonsemiIGBT 1200V 54A 390W TO247HGTG20N120C3DLINTERSIHGTG20N50E1DFairchild (onsemi)HGTG20N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG20N120CNDFairchild (onsemi)HGTG18N120BNFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-HGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247HGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGTG20N60Fairchild (onsemi)HGTG20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO247-3HGTG18N120Fairchild (onsemi)HGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG20N60A4DonsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที