ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG12N60A4D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HGTG12N60A4D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HGTG12N60A4D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 12A | |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 17ns/96ns | |
| การสลับพลังงาน | 55µJ (on), 50µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 167 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 78 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 96 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 54 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG12N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HGTG12N60A4D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG12N60A4D | HGTD7N60C3S9A | HGTD8P50G1 | HGTG11N120CND |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 54 A | 14 A | 12 A | 43 A |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 12A | 2V @ 15V, 7A | 3.7V @ 15V, 8A | 2.4V @ 15V, 11A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-252, (D-Pak) | I-PAK | TO-247 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 167 W | 60 W | 66 W | 298 W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG12N60 | - | - | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 96 A | 56 A | 18 A | 80 A |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | - | - | 960V, 11A, 10Ohm, 15V |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 500 V | 1200 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | - | - | 70 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| การสลับพลังงาน | 55µJ (on), 50µJ (off) | 165µJ (on), 600µJ (off) | - | 950µJ (on), 1.3mJ (off) |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 78 nC | 23 nC | 30 nC | 100 nC |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-247-3 |
| ชุด | - | - | - | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 17ns/96ns | - | - | 23ns/180ns |
| ประเภท IGBT | - | - | - | NPT |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HGTG12N60A4D PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HGTG12N60A4D - onsemi
HGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTD8P50G1Harris Corporation8A, 500V P-CHANNEL IGBTHGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGTG20N120CNDFairchild (onsemi)HGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBT
HGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247HGTG20N120C3DLINTERSIHGTG18N120BNDonsemiIGBT 1200V 54A 390W TO247HGTG18N120Fairchild (onsemi)HGTG20N50C1DHarris Corporation26A, 500V, N-CHANNEL IGBTHGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3HGTG11N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG18N120BNonsemiIGBT 1200V 54A 390W TO247HGTG18N120BNFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
HGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AAHGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGTG12N60B3DITSHGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที