ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG27N120BN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - HGTG27N120BN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - HGTG27N120BN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 27A | |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 27A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 24ns/195ns | |
| การสลับพลังงาน | 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 270 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 216 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 72 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG27 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi HGTG27N120BN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG27N120BN | HGTG30N60B3 | HGTG20N60A4 | HGTG27N60C3R |
| ผู้ผลิต | onsemi | Harris Corporation | onsemi | Harris Corporation |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ประเภท IGBT | NPT | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HGTG27 | - | HGTG20 | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 W | 208 W | 290 W | 208 W |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 | TO-247 |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 72 A | 60 A | 70 A | 54 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ทดสอบสภาพ | 960V, 27A, 3Ohm, 15V | 480V, 30A, 3Ohm, 15V | 390V, 20A, 3Ohm, 15V | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 270 nC | 170 nC | 142 nC | 212 nC |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 216 A | 220 A | 280 A | 108 A |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 24ns/195ns | 36ns/137ns | 15ns/73ns | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 27A | 1.9V @ 15V, 30A | 2.7V @ 15V, 20A | 2.2V @ 15V, 27A |
| การสลับพลังงาน | 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) | 500µJ (on), 680µJ (off) | 105µJ (on), 150µJ (off) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HGTG27N120BN PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ HGTG27N120BN - onsemi
HGTG30N60B3Harris Corporation600 V, NPT IGBTHGTG20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO247-3HGTG27N60C3RHarris Corporation54A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGTG20N60B3Harris CorporationN-CHANNEL IGBTHGTG30N60B3DonsemiIGBT 600V 60A TO247-3HGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3HGTG30N60C3Harris Corporation63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG20N60A4DonsemiIGBT 600V 70A 290W TO247
HGTG20N60C3Fairchild (onsemi)HGTG30N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG27N120BNFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG24N60D1DHarris CorporationUFS SERIES N-CHANNEL IGBTHGTG20N60B3onsemiIGBT 600V 40A 165W TO247HGTG30N60B3onsemiIGBT 600V 60A 208W TO247HGTG30N60A4DonsemiIGBT 600V 75A 463W TO247HGTG30N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG20N60B3DonsemiIGBT 600V 40A 165W TO247HGTG24N60D1Harris CorporationUFS SERIES N-CHANNEL IGBT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที