ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG30N60C3D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - HGTG30N60C3D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - HGTG30N60C3D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 208 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 162 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 252 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 63 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor HGTG30N60C3D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG30N60C3D | HGTG30N60A4 | HGTG27N120BN | HGTG40N60B3 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Harris Corporation |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 162 nC | 225 nC | 270 nC | 250 nC |
| ประเภท IGBT | - | - | NPT | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ทดสอบสภาพ | - | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | 960V, 27A, 3Ohm, 15V | 480V, 40A, 3Ohm, 15V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | 25ns/150ns | 24ns/195ns | 47ns/170ns |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247 |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 63 A | 75 A | 72 A | 70 A |
| การสลับพลังงาน | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | 280µJ (on), 240µJ (off) | 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) | 1.05mJ (on), 800µJ (off) |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 252 A | 240 A | 216 A | 330 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 208 W | 463 W | 500 W | 290 W |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 15V, 30A | 2.6V @ 15V, 30A | 2.7V @ 15V, 27A | 2V @ 15V, 40A |
| ชุด | - | - | - | - |
HGTG30N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG27N120BNonsemiIGBT NPT 1200V 72A TO247-3HGTG40N60B3Harris Corporation70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG27N60C3RHarris Corporation54A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGTG30N60D1DHIRHGTG40N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG30N60A4DonsemiIGBT 600V 75A 463W TO247HGTG40N60C3Harris Corporation75A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGTG40N60B3onsemiIGBT 600V 70A 290W TO247
HGTG3N60B3Fairchild (onsemi)HGTG30N60B3onsemiIGBT 600V 60A 208W TO247HGTG30N60B3DonsemiIGBT 600V 60A TO247-3HGTG30N60C3Harris Corporation63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3HGTG40N60A4DFairchild (onsemi)IGBT ModuleHGTG30N60B3Harris Corporation600 V, NPT IGBTHGTG27N120BNFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที