ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTG30N60C3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - HGTG30N60C3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - HGTG30N60C3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 30A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 40ns/320ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SUPER-247 (TO-274AA) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 208 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-274AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 250 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 252 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 63 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation HGTG30N60C3
| คุณสมบัติสินค้า | |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTG30N60C3 | HGTG27N60C3R | HGTG30N60C3D | HGTG30N60B3D |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-274AA | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 250 nC | 212 nC | 162 nC | 170 nC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 208 W | 208 W | 208 W | 208 W |
| การสลับพลังงาน | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | - | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) | 550µJ (on), 680µJ (off) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.8V @ 15V, 30A | 2.2V @ 15V, 27A | 1.8V @ 15V, 30A | 1.9V @ 15V, 30A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 63 A | 54 A | 63 A | 60 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 40ns/320ns | - | - | 36ns/137ns |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 30A, 3Ohm, 15V | - | - | 480V, 30A, 3Ohm, 15V |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 252 A | 108 A | 252 A | 220 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SUPER-247 (TO-274AA) | TO-247 | TO-247 | TO-247-3 |
HGTG40N60A4DFairchild (onsemi)IGBT ModuleHGTG27N60C3RHarris Corporation54A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGTG30N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG30N60B3DonsemiIGBT 600V 60A TO247-3HGTG30N60B3Harris Corporation600 V, NPT IGBTHGTG30N60B3onsemiIGBT 600V 60A 208W TO247HGTG40N60B3Harris Corporation70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTG27N120BNFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG24N60D1DHarris CorporationUFS SERIES N-CHANNEL IGBTHGTG30N60C3DonsemiIGBT 600V 63A TO247-3HGTG40N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG30N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG40N60A4onsemiIGBT 600V 75A TO247-3HGTG40N60B3onsemiIGBT 600V 70A 290W TO247HGTG30N60A4DonsemiIGBT 600V 75A 463W TO247HGTG27N120BNonsemiIGBT NPT 1200V 72A TO247-3HGTG3N60B3Fairchild (onsemi)HGTG30N60D1DHIR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที