ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR1H100SFT3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR1H100SFT3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR1H100SFT3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 760 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 40 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR1H100 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR1H100SFT3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR1H100SFT3G | MBR1690 | MBR180S1-7 | MBR20015CTL |
| ผู้ผลิต | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | MOTOROLA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 20pF @ 5V, 1MHz | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | TO-220AC | SOD-123 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 90 V | 80 V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | TO-220-2 | SOD-123 | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 16A | 1A | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR1H100 | - | MBR180 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 760 mV @ 1 A | 850 mV @ 16 A | 800 mV @ 1 A | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 40 µA @ 100 V | 300 µA @ 90 V | 5 µA @ 80 V | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR1H100SFT3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR1H100SFT3G - onsemi
MBR20015CTLMOTOROLAIGBT Module
MBR200100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR1H100SFT1GMSVMBR1665GCTPINGWEIMBR20020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR200100MOTOROLAIGBT Module
MBR1660_NLFairchild (onsemi)MBR1680CTMBR200100RMOTOROLAIGBT ModuleMBR200100CTSGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A SOT227MBR16H45MBR200200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWERMBR1690Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 90V 16A TO220ACMBR19TQ015S-G-T4SSG
MBR1H100SFONsemiMBR180S1-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 80V 1A SOD123MBR200150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWERMBR20020MOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที