ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR200200CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR200200CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR200200CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR200200 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR200200CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR200200CT | MBR200150CT | MBR200100CTS | MBR20035CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | 100A | 200A (DC) | 200A (DC) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 100 A | 880 mV @ 100 A | 950 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Screw Mount | Chassis Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR200200 | MBR200150 | - | MBR20035 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 200 V | 3 mA @ 150 V | 10 µA @ 80 V | 5 mA @ 20 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 175°C | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | SOT-227 | Twin Tower |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 150 V | 100 V | 35 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | SOT-227-4 | Twin Tower |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR200200CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR200200CT - GeneSiC Semiconductor
MBR200150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWERMBR200100CTSGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A SOT227MBR20030RMOTOROLAIGBT Module
MBR1H100SFT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FLMBR20035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR20030MOTOROLAIGBT ModuleMBR20030CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20015CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20020MOTOROLAIGBT ModuleMBR200100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR20020CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR200100RMOTOROLAIGBT ModuleMBR1H100SFT1GMSVMBR20030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWERMBR20035MOTOROLAIGBT ModuleMBR200100MOTOROLAIGBT ModuleMBR20025CTLMOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที