ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR200200CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR200200CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR200200CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR200200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR200200CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR200200CT | MBR200100CTS | MBR20035CT | MBR200100CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | 200A (DC) | 200A (DC) | 200A (DC) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 100 A | 950 mV @ 100 A | 650 mV @ 100 A | 840 mV @ 100 A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Screw Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR200200 | - | MBR20035 | MBR200100 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 200 V | 10 µA @ 80 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 175°C | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | SOT-227 | Twin Tower | Twin Tower |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 100 V | 35 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | SOT-227-4 | Twin Tower | Twin Tower |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR200200CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR200200CT - GeneSiC Semiconductor
MBR19TQ015S-G-T4SSGMBR20020MOTOROLAIGBT ModuleMBR20030MOTOROLAIGBT ModuleMBR200100CTSGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A SOT227MBR20035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR200100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
MBR1H100SFT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FLMBR1H100SFT1GMSVMBR20030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR200150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWERMBR20030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWERMBR20015CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20035MOTOROLAIGBT ModuleMBR20035RMOTOROLAIGBT ModuleMBR200100MOTOROLAIGBT ModuleMBR20020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR20020CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR20025CTLMOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที