ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR2H200SFT3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR2H200SFT3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR2H200SFT3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 940 mV @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR2H200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR2H200SFT3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR2H200SFT3G | MBR2H100SFT3G | MBR2H200SFT1G | MBR260LSFT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | MSV |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 200 V | 40 µA @ 100 V | 200 µA @ 200 V | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 2A | 2A | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 100 V | 200 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR2H200 | MBR2H100 | MBR2H200 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | SOD-123F | SOD-123F | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 940 mV @ 2 A | 840 mV @ 2 A | 940 mV @ 2 A | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | SOD-123FL | SOD-123FL | - |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR2H200SFT3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR2H200SFT3G - onsemi
MBR260LSFT1GMSVMBR30035MOTOROLAIGBT ModuleMBR28045VMOTOROLAIGBT ModuleMBR28045IGBTIGBT ModuleMBR30030MOTOROLAIGBT Module
MBR300200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
MBR25H45CTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR300150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWERMBR30020MOTOROLAIGBT ModuleMBR300100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 150A 2TOWERMBR2H100SFT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FL
MBR2H100SFT1GAMI Semiconductor/onsemiMBR30020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 150A 2TOWERMBR30030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 150A 2TOWERMBR2H200SFAMI Semiconductor/onsemiMBR300100NOIGBT ModuleMBR2H200SFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FL
MBR2560CT-E3/4WElectro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที