ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR300150CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR300150CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR300150CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR300150 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR300150CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR300150CT | MBR300100CT | MBR300200CT | MBR30030CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 150 V | 8 mA @ 20 V | 3 mA @ 200 V | 8 mA @ 20 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 880 mV @ 150 A | 840 mV @ 150 A | 920 mV @ 150 A | 650 mV @ 150 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR300150 | MBR300100 | MBR300200 | MBR30030 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | 150A | 150A | 150A |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 100 V | 200 V | 30 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR300150CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR300150CT - GeneSiC Semiconductor
MBR2H200SFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FLMBR300100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 150A 2TOWERMBR300200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWERMBR300100NOIGBT Module
MBR2H200SFAMI Semiconductor/onsemiMBR30040MOTOROLAIGBT ModuleMBR30030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 150A 2TOWERMBR30040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 150A 2TOWERMBR30020MOTOROLAIGBT ModuleMBR2H100SFT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FLMBR30020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 150A 2TOWERMBR28045VMOTOROLAIGBT ModuleMBR2H100SFT1GAMI Semiconductor/onsemiMBR28045IGBTIGBT ModuleMBR30035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR2H200SFT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FLMBR30030MOTOROLAIGBT ModuleMBR30035MOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที