ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR30020CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR30020CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR30020CT
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 150 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
เทคโนโลยี | Schottky | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 8 mA @ 20 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30020 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR30020CT
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR30020CT | MBR30045CT | MBR300200CT | MBR30030CT |
ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 150A | 150A | 150A | 150A |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 150 A | 650 mV @ 150 A | 920 mV @ 150 A | 650 mV @ 150 A |
เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 45 V | 200 V | 30 V |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30020 | MBR30045 | MBR300200 | MBR30030 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 8 mA @ 20 V | 8 mA @ 20 V | 3 mA @ 200 V | 8 mA @ 20 V |
ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR30020CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR30020CT - GeneSiC Semiconductor
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที