ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR860MFST1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR860MFST1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR860MFST1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 150 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR860 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR860MFST1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR860MFST1G | MBRA120ET3G | MBR845 | MBR8045 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | GeneSiC Semiconductor |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR860 | MBRA120 | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 1A | 8A | 80A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 20 V | 45 V | 45 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN, 5 Leads | DO-214AC, SMA | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 150 µA @ 60 V | 10 µA @ 20 V | 1 mA @ 45 V | 1 mA @ 45 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 8 A | 530 mV @ 1 A | 550 mV @ 8 A | 650 mV @ 80 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | SMA | Axial | DO-5 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR860MFST1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR860MFST1G - onsemi
MBRA1100T3GAMI Semiconductor/onsemiMBRA120ET3GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A SMAMBR845onsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIALMBRA120PLINGSEMICMBR930LT1MMBR8045GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5MBR8035GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 80A DO5MBRA120ET3onsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A SMAMBRA120LAMI Semiconductor/onsemiMBR8060GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5
MBR860STRSensitron Semiconductor / SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277BMBR840RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 8A AXIALMBRA1100T1GAMI Semiconductor/onsemiMBR8040GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 80A DO5MBR845RLonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIALMBR860FDEC
MBR8100LITEONMBR8H100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที