ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR8060
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR8060 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR8060
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 80 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR8060
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR8060 | MBR8045 | MBR8H100MFST1G | MBR8035 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | onsemi | GeneSiC Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Surface Mount | Chassis, Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | DO-5 |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | 80A | 8A | 80A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 80 A | 650 mV @ 80 A | 900 mV @ 8 A | 750 mV @ 80 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 45 V | 100 V | 35 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | 8-PowerTDFN, 5 Leads | DO-203AB, DO-5, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | 1 mA @ 45 V | 2 µA @ 100 V | 1 mA @ 35 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR8060 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR8060 - GeneSiC Semiconductor
MBR8045GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5MBR8H100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFNMBR8035GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 80A DO5MBR8030GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 80A DO5MBR845onsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIALMBR8040GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 80A DO5
MBR8100LITEONMBR760onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220-2LMBR8025MOTOROLAIGBT Module
MBR860STRSensitron Semiconductor / SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277BMBR845RLonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIAL
MBR760-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220ACMBR80100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5MBR840RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 8A AXIALMBR860FDECMBR8020GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 80A DO5MBR835BAMI Semiconductor/onsemiMBR860MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที