ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR8045
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR8045 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR8045
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 80 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 45 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR8045
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR8045 | MBR8040 | MBR845 | MBR8030 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | onsemi | GeneSiC Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 45 V | 1 mA @ 35 V | 1 mA @ 45 V | 1 mA @ 30 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 40 V | 45 V | 30 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 80 A | 750 mV @ 80 A | 550 mV @ 8 A | 750 mV @ 80 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | Axial | DO-5 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | 80A | 8A | 80A |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-203AB, DO-5, Stud |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR8045 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR8045 - GeneSiC Semiconductor
MBR8040GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 80A DO5
MBR8100LITEONMBR845onsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIALMBR8030GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 80A DO5MBR8H100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFNMBR845RLonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIALMBR840RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 8A AXIALMBR860MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN
MBR760SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V TO220AC
MBR760-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220ACMBR8035GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 80A DO5MBR760onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220-2L
MBR860STRSensitron Semiconductor / SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277BMBR860FDECMBR8020GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 80A DO5
MBR760Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220ACMBR80100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5MBR8060GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที