ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR810G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MUR810G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MUR810G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 975 mV @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR810 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MUR810G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR810G | MUR8100EG | MUR815 | MUR815G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 1000 V | 150 V | 150 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 100 ns | 35 ns | 35 ns |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR810 | MUR8100 | MUR81 | MUR815 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 100 V | 25 µA @ 1000 V | 5 µA @ 150 V | 5 µA @ 150 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 975 mV @ 8 A | 1.8 V @ 8 A | 975 mV @ 8 A | 975 mV @ 8 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ชุด | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MUR810G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MUR810G - onsemi
MUR8100EGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2MUR8120AMI Semiconductor/onsemiMUR815onsemiDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR815GonsemiDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR805GonsemiDIODE GEN PURP 50V 8A TO220-2
MUR820 COTaiwan SemiconductorMUR8100Harris CorporationDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220ACMUR805onsemiDIODE GEN PURP 50V 8A TO220-2MUR8100EonsemiDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2MUR820Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
MUR820Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACMUR8100EHarris CorporationDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2
MUR7060GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 70A DO5MUR815Harris CorporationDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR820Yangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MUR820onsemiDIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2MUR7020GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 70A DO5MUR805T| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที