ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR8100E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - MUR8100E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - MUR8100E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.8 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation MUR8100E
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR8100E | MUR805G | MUR7010 | MUR8100EG |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | onsemi | GeneSiC Semiconductor | onsemi |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 1000 V | 5 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 1000 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.8 V @ 8 A | 975 mV @ 8 A | 1 V @ 70 A | 1.8 V @ 8 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | 70A | 8A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 | TO-220-2 | DO-5 | TO-220-2 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | DO-203AB, DO-5, Stud | TO-220-2 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 50 V | 100 V | 1000 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - | SWITCHMODE™ |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns | 35 ns | 75 ns | 100 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
MUR805TMUR805GonsemiDIODE GEN PURP 50V 8A TO220-2MUR7010GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 70A DO5MUR8100EGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2MUR7005GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 70A DO5MUR8120AMI Semiconductor/onsemiMUR815GonsemiDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR7060GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 70A DO5
MUR820Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACMUR7020GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 70A DO5
MUR820Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACMUR815Harris CorporationDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR815onsemiDIODE GEN PURP 150V 8A TO220-2MUR820onsemiDIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2MUR8100EonsemiDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2MUR805onsemiDIODE GEN PURP 50V 8A TO220-2MUR810GonsemiDIODE GEN PURP 100V 8A TO220-2MUR8100Harris CorporationDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที