ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURH840CTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MURH840CTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MURH840CTG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | MEGAHERTZ™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 28 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 4A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURH840 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | Not Applicable |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MURH840CTG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURH840CTG | MURH860CTG | MURHB840CTT4 | MURH860CT |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | D²PAK | TO-220 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 28 ns | 35 ns | 28 ns | 35 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V |
| ชุด | MEGAHERTZ™ | MEGAHERTZ™ | - | MEGAHERTZ™ |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 4 A | 2.8 V @ 4 A | 2.2 V @ 4 A | 2.8 V @ 4 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURH840 | MURH860 | MURHB8 | MURH86 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 4A | 4A | 4A | 4A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 600 V | 400 V | 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURH840CTG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MURH840CTG - onsemi
MURH860CTGonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A TO220AB
MURF8L60Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
MURF840GAMI Semiconductor/onsemiMURF550PFGonsemiDIODE GEN PURP 520V 5A TO220FPMURF860GonsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220FPMURHB840CTT4onsemiDIODE ULTRA FAST 400V 4A D2PAKMURH860CTG UH860GAMI Semiconductor/onsemiMURH860CTonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A TO220ABMURH840CTonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A TO220ABMURHB840GAMI Semiconductor/onsemiMURF820AMI Semiconductor/onsemi
MURF2060CTDiotec SemiconductorDIODE SFR ITO-220AB 600V 20AMURHB860CTonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAKMURHB840CTGonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A D2PAKMURH860GAMI Semiconductor/onsemi
MURF860SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 600V 8A ITO220ACMURHB840CTT4GonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A D2PAKMURF860-GSSG| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที