ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURHB840CTT4G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MURHB840CTT4G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MURHB840CTT4G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 28 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 4A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURHB840 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MURHB840CTT4G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURHB840CTT4G | MURH860CTG | MURH840CTG | MURHB860CTT4G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK | TO-220 | TO-220 | D²PAK |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 4 A | 2.8 V @ 4 A | 2.2 V @ 4 A | 2.8 V @ 4 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ชุด | - | MEGAHERTZ™ | MEGAHERTZ™ | MEGAHERTZ™ |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 4A | 4A | 4A | 4A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MURHB840 | MURH860 | MURH840 | MURHB860 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 28 ns | 35 ns | 28 ns | 35 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 600 V | 400 V | 600 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURHB840CTT4G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MURHB840CTT4G - onsemi
MURH860CTG UH860GAMI Semiconductor/onsemiMURH860CTGonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A TO220AB
MURHD560T4GonsemiDIODE GEN PURP 600V 5A DPAKMURF860GonsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220FPMURH840CTGonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A TO220ABMURHB860CTT4GonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAKMURHB840GAMI Semiconductor/onsemiMURH860CTonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A TO220ABMURHD560W1T4GonsemiDIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
MURL20040CTIXFNIGBT ModuleMURH860GAMI Semiconductor/onsemi
MURHS160T3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SMBMURHF860CTonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A TO220FPMURHB840CTT4onsemiDIODE ULTRA FAST 400V 4A D2PAKMURHB860CTonsemiDIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK
MURF8L60Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 8A ITO220ACMURH840CTonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A TO220ABMURHB840CTGonsemiDIODE ARRAY GP 400V 4A D2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที