ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSD914F3T5G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSD914F3T5G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSD914F3T5G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-1123 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-1123 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSD914 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSD914F3T5G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSD914F3T5G | MBR735 | NSD350HT1G | RB060MM-30TR |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Rohm Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | 100 µA @ 35 V | 5 µA @ 350 V | 50 µA @ 30 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-1123 | TO-220AC | SOD-323 | PMDU |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 7.5A | 200mA | 2A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | 840 mV @ 15 A | 1.1 V @ 100 mA | 490 mV @ 55 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 35 V | 350 V | 30 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSD914 | MBR7 | NSD350 | RB060 |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-1123 | TO-220-2 | SC-76, SOD-323 | SOD-123F |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Schottky |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | - | 5pF @ 0V, 1MHz | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 150°C (Max) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | - | 55 ns | - |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSD914F3T5G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSD914F3T5G - onsemi
MBR735Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC
NSD03A10NIHONNSD350HT1GonsemiDIODE GEN PURP 350V 200MA SOD323
NSDEMP11XV6T1onsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563RB060MM-30TRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU
NSD914XV2T5GonsemiDIODE GP 100V 200MA DO214AANSDEMP11XV6T5onsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563NSD03A40-TE16LSHINDENGENNSDEMP11XV6T1GonsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563
RB751S-40TE61Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 30MA EMD2
UF4004-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO204ALNSD03C20NIHON
NSD05-12S12MEAN WELL USA Inc.DC DC CONVERTER 12V 5W
NSD03A40KYOCERA AVXDIODE GEN PURP 400V 3A NSMC
1N3261RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
NSD914XV2T1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523NSD03A10-TE16LNIHONNSD03A20-TE16LNIEC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที