ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSDEMP11XV6T5
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSDEMP11XV6T5 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSDEMP11XV6T5
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-563 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-563, SOT-666 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Pair Common Anode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSDEMP11 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSDEMP11XV6T5
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSDEMP11XV6T5 | MMBD4448HAQW-7-F | MBR2545CT | NSDEMP11XV6T1 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 100 mA | 1.25 V @ 150 mA | 820 mV @ 30 A | 1.2 V @ 100 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 45 V | 80 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-563, SOT-666 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TO-220-3 | SOT-563, SOT-666 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-563 | SOT-363 | TO-220-3 | SOT-563 |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 70 V | 100 nA @ 70 V | 200 µA @ 45 V | 100 nA @ 70 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | - | 4 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSDEMP11 | MMBD4448 | MBR2545 | NSDEMP11 |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Pair Common Anode | 2 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode | 2 Pair Common Anode |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100mA (DC) | 250mA | 15A | 100mA (DC) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSDEMP11XV6T5 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSDEMP11XV6T5 - onsemi
NSD914XV2T5GonsemiDIODE GP 100V 200MA DO214AA
NSD03C20NIHONNSD03A40-TE16LSHINDENGEN
NSD350HT1GonsemiDIODE GEN PURP 350V 200MA SOD323MMBD4448HAQW-7-FDiodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363
NSD05-12S12MEAN WELL USA Inc.DC DC CONVERTER 12V 5WNSD1025-DSPRNovosenseNSD03A10NIHON
NSD914XV2T1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
NSD03A40KYOCERA AVXDIODE GEN PURP 400V 3A NSMCMBR2545CTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABNSD03C20-TE16LNIHON
NSD914F3T5GonsemiDIODE GP 100V 200MA SOT1123NSD03A20-TE16LNIECNSD03A10-TE16LNIHONNSDEMP11XV6T1onsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563NSDEMP11XV6T1GonsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563
DSP45-12AIXYSDIODE ARRAY GP 1200V 45A TO247AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที