ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NSD914XV2T5G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NSD914XV2T5G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NSD914XV2T5G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSD914 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NSD914XV2T5G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NSD914XV2T5G | NSD03A40 | SE30AFB-M3/6A | NSD350HT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | KYOCERA AVX | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-214AB, SMC | DO-221AC, SMA Flat Leads | SC-76, SOD-323 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | 1 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A | 1.1 V @ 100 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 400 V | 100 V | 350 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSD914 | - | SE30 | NSD350 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | - | 1.5 µs | 55 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 3A | 1.4A | 200mA |
| ชุด | - | - | eSMP® | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | 50 µA @ 400 V | 10 µA @ 100 V | 5 µA @ 350 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | nSMC | DO-221AC (SlimSMA) | SOD-323 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1 MHz | - | 19pF @ 4V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NSD914XV2T5G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NSD914XV2T5G - onsemi
NSD03A40KYOCERA AVXDIODE GEN PURP 400V 3A NSMC
NSD03C20-TE16LNIHONSE30AFB-M3/6AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221ACNSD03A10NIHON
NSDEMP11XV6T1GonsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563NSD350HT1GonsemiDIODE GEN PURP 350V 200MA SOD323NSD03C20NIHON
LL41-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOT 100V 100MA SOD80
NSD05-12S12MEAN WELL USA Inc.DC DC CONVERTER 12V 5W
CUS05S40,H3FToshiba Semiconductor and StorageDIODE SCHOTTKY 40V 500MA USCNSDEMP11XV6T1onsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563NSDEMP11XV6T5onsemiDIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563
NSD914XV2T1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523NSD03A10-TE16LNIHONNSD03A20-TE16LNIECNSD1025-DSPRNovosense
NSD914F3T5GonsemiDIODE GP 100V 200MA SOT1123NSD03A40-TE16LSHINDENGEN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที