ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGH10N60RUFDTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SGH10N60RUFDTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SGH10N60RUFDTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 10A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 10A, 20Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/36ns | |
| การสลับพลังงาน | 141µJ (on), 215µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 75 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 30 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 16 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGH10N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SGH10N60RUFDTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGH10N60RUFDTU | SGH40N60UFTU | SGH20N60RUFDTU | SGH40N60UFTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 75 W | 160 W | 195 W | 160 W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGH10N60 | SGH40N60 | SGH20N | SGH40N60 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | 97 nC | 55 nC | 97 nC |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/36ns | 15ns/65ns | 30ns/48ns | 15ns/65ns |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 10A | 2.6V @ 15V, 20A | 2.8V @ 15V, 20A | 2.6V @ 15V, 20A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 16 A | 40 A | 32 A | 40 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 30 A | 160 A | 60 A | 160 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 10A, 20Ohm, 15V | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | 300V, 20A, 10Ohm, 15V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | - | 95 ns | - |
| การสลับพลังงาน | 141µJ (on), 215µJ (off) | 160µJ (on), 200µJ (off) | 524µJ (on), 473µJ (off) | 160µJ (on), 200µJ (off) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PN | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SGH10N60RUFDTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SGH10N60RUFDTU - onsemi
SGH40N60UFDAMI Semiconductor/onsemiSGH40N60UFTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOSGH20N60RUFDTUonsemiIGBT 600V 32A 195W TO3PSGH40N60UFTUonsemiIGBT 600V 40A TO3PSGH15N60RUFDTUonsemiIGBT 600V 24A 160W TO3PSGH40N60SECSGH40N60UFFairchild (onsemi)SGH10N60RUFDTUFairchild SemiconductorIGBT, 16A, 600V, N-CHANNELSGH5612F-00-T6SONYSGH23N60UFDTUonsemiIGBT 600V 23A 100W TO3PSGH20N60RUFTUFSCSGH15N60RUFDFSCSGH30N60TUFSCSGH20N60RUFDFSCSGH30N60RUFDFSCSGH40N60UFDTUonsemiIGBT 600V 40A 160W TO3PSGH23N60UFDFSCSGH23N60UFFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที