ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGH20N60RUFDTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SGH20N60RUFDTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SGH20N60RUFDTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 20A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 30ns/48ns | |
| การสลับพลังงาน | 524µJ (on), 473µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 95 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 195 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 55 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 60 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 32 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGH20N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SGH20N60RUFDTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGH20N60RUFDTU | SGH15N60RUFDTU | SGH10N60RUFDTU | SGH23N60UFDTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGH20N | SGH15 | SGH10N60 | SGH23 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 195 W | 160 W | 75 W | 100 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 95 ns | 60 ns | 60 ns | 60 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 30ns/48ns | 17ns/44ns | 15ns/36ns | 17ns/60ns |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 55 nC | 42 nC | 30 nC | 49 nC |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 32 A | 24 A | 16 A | 23 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 60 A | 45 A | 30 A | 92 A |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 20A, 10Ohm, 15V | 300V, 15A, 13Ohm, 15V | 300V, 10A, 20Ohm, 15V | 300V, 12A, 23Ohm, 15V |
| การสลับพลังงาน | 524µJ (on), 473µJ (off) | 320µJ (on), 356µJ (off) | 141µJ (on), 215µJ (off) | 115µJ (on), 135µJ (off) |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 20A | 2.8V @ 15V, 15A | 2.8V @ 15V, 10A | 2.6V @ 15V, 12A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SGH20N60RUFDTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SGH20N60RUFDTU - onsemi
SGH40N60SECSGH20N60RUFDFSCSGH15N60RUFDTUonsemiIGBT 600V 24A 160W TO3PSGH15N60RUFDFSCSGH10N60RUFDTUFairchild SemiconductorIGBT, 16A, 600V, N-CHANNELSGH23N60UFDFSCSGH40N60UFFairchild (onsemi)SGH23N60UFFairchild (onsemi)SGH30N60TUFSCSGH5612F-00-T6SONYSGH20N60RUFTUFSCSGH23N60UFDTUonsemiIGBT 600V 23A 100W TO3PSGH10N60RUFDTUonsemiIGBT 600V 16A 75W TO3PSGH40N60UFTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOSGH30N60RUFDFSCSGH40N60UFTUonsemiIGBT 600V 40A TO3PSGH40N60UFDTUonsemiIGBT 600V 40A 160W TO3PSGH40N60UFDAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที