ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI4435DY
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SI4435DY คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SI4435DY
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | PowerTrench® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8.8A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1604 pF @ 15 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 24 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.8A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4435 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SI4435DY
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI4435DY | SI4435DYTR | SI4435DDY-T1-GE3 | SI4435DY |
| ผู้ผลิต | onsemi | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 24 nC @ 5 V | 60 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V |
| ชุด | PowerTrench® | HEXFET® | TrenchFET® | HEXFET® |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.8A (Ta) | 8A (Tc) | 11.4A (Tc) | 8A (Tc) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI4435 | - | SI4435 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8.8A, 10V | 20mOhm @ 8A, 10V | 24mOhm @ 9.1A, 10V | 20mOhm @ 8A, 10V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SO | 8-SOIC | 8-SO |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1604 pF @ 15 V | 2320 pF @ 15 V | 1350 pF @ 15 V | 2320 pF @ 15 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | 2.5W (Ta) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI4435DY PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SI4435DY - onsemi
SI4435DYTRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8SO
SI4435DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4435DElectro-Films (EFI) / VishaySI4435DDY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4435DDY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOSI4435DYFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 8A 8SOSI4435DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4435DDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4435DY-T1-REVAElectro-Films (EFI) / VishaySI4435DY-T1-A-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4435DDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOSI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8SOSI4435DDY-TElectro-Films (EFI) / VishaySI4435DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4435DY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySI4435DDY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4435DYInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8SO| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที