Name: Vishay Siliconix SI4435DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4435DDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (9 reviews)

ขนาด

ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI4435DDY-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI4435DDY-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI4435DDY-T1-GE3

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Vishay / Siliconix
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-SOIC
ชุด	TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	24mOhm @ 9.1A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1350 pF @ 15 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	50 nC @ 10 V
ประเภท FET	P-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	11.4A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI4435

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

คุณลักษณะ	ลักษณะ
สถานภาพ RoHS
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
เข้าถึงสถานะ
ECCN	EAR99
HTSUS

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

SI4435DDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI4435DDY-T1-GE3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI4435DDY-T1-GE3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	SI4435DDY-T1-GE3	SI4435DY	SI4435BDY-T1-E3	SI4435DDY-T1-E3
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix	onsemi	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®	PowerTrench®	TrenchFET®	TrenchFET®
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1350 pF @ 15 V	1604 pF @ 15 V	-	1350 pF @ 15 V
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	50 nC @ 10 V	24 nC @ 5 V	70 nC @ 10 V	50 nC @ 10 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	11.4A (Tc)	8.8A (Ta)	7A (Ta)	11.4A (Tc)
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	24mOhm @ 9.1A, 10V	20mOhm @ 8.8A, 10V	20mOhm @ 9.1A, 10V	24mOhm @ 9.1A, 10V
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 5W (Tc)	2.5W (Ta)	1.5W (Ta)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA
ประเภท FET	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI4435	SI4435	SI4435	SI4435
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30 V	30 V	30 V	30 V

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

SI4435DDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI4435DDY-T1-GE3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI4435DDY-T1-GE3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ