Name: Vishay Siliconix SI4435DDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4435DDY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

ขนาด

ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI4435DDY-T1-E3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI4435DDY-T1-E3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI4435DDY-T1-E3

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Vishay / Siliconix
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-SOIC
ชุด	TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	24mOhm @ 9.1A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1350 pF @ 15 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	50 nC @ 10 V
ประเภท FET	P-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	11.4A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI4435

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

คุณลักษณะ	ลักษณะ
สถานภาพ RoHS
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
เข้าถึงสถานะ
ECCN	EAR99
HTSUS

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

SI4435DDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI4435DDY-T1-E3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI4435DDY-T1-E3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	SI4435DDY-T1-E3	SI4435BDY-T1-E3	SI4435DDY-T1-GE3	SI4435DY
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Infineon Technologies
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
ประเภท FET	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC	8-SO
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA	1V @ 250µA
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 5W (Tc)	1.5W (Ta)	2.5W (Ta), 5W (Tc)	2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30 V	30 V	30 V	30 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	11.4A (Tc)	7A (Ta)	11.4A (Tc)	8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1350 pF @ 15 V	-	1350 pF @ 15 V	2320 pF @ 15 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	50 nC @ 10 V	70 nC @ 10 V	50 nC @ 10 V	60 nC @ 10 V
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SI4435	SI4435	SI4435	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	24mOhm @ 9.1A, 10V	20mOhm @ 9.1A, 10V	24mOhm @ 9.1A, 10V	20mOhm @ 8A, 10V
ชุด	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	HEXFET®

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

SI4435DDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SI4435DDY-T1-E3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

SI4435DDY-T1-E3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ