ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4448HLP-7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - 1N4448HLP-7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - 1N4448HLP-7
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | X1-DFN1006-2 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 0402 (1006 Metric) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 80 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 125mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 3pF @ 0.5V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4448 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated 1N4448HLP-7
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4448HLP-7 | 1N4448 | 1N4448 | 1N4448 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Microchip Technology | Taiwan Semiconductor Corporation | Fairchild Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 75 V | 100 V | 100 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | X1-DFN1006-2 | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 125mA | 200mA | 150mA | 200mA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 80 V | 25 nA @ 20 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4448 | - | 1N4448 | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 3pF @ 0.5V, 1MHz | - | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 0402 (1006 Metric) | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4448HLP-7 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ 1N4448HLP-7 - Diodes Incorporated
1N4448Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4448Taiwan Semiconductor CorporationDO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI
1N4448HW-7-FMSV
1N4448HLP-7-FDiodes Incorporated1N4448 T5CJ1N4448Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE
1N4448HWS-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 250MA SOD3231N4448HLP-7B-55Diodes Incorporated1N4448HWSMSV1N4448HLP-7##QQQQQQQQ
1N4448onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448HLP-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN1N4448Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4446TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448HWS-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
1N4448-TRElectro-Films (EFI) / Vishay1N4448HLP-7-55Diodes Incorporated1N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที