ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4448
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N4448 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N4448
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 nA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N4448
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4448 | 1N4446 | 1N4448 | 1N4448 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | onsemi | NTE Electronics, Inc |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 200mA | 200mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bag |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | 75 V | 100 V | 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 20 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 nA @ 20 V | 25 nA @ 20 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4448 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N4448 - Microchip Technology
1N4446Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4448onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448HLP-7##QQQQQQQQ1N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4448HLP-7-FDiodes Incorporated
1N4448Taiwan Semiconductor CorporationDO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI
1N4448HLP-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN1N4448HLP-7B-55Diodes Incorporated
1N4446Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448HLP-7-55Diodes Incorporated1N4448Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N4446TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4448-TRElectro-Films (EFI) / Vishay1N4448HLP-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN1N4446NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4446onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448 T5CJ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที