ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4448
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diotec Semiconductor - 1N4448 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diotec Semiconductor - 1N4448
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diotec Semiconductor 1N4448
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4448 | 1N4448 | 1N4448 | 1N4446 |
| ผู้ผลิต | Diotec Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation | Fairchild Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 25 nA @ 20 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | 175°C (Max) |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 20 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 150mA | 200mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4448 PDF และเอกสาร Diotec Semiconductor สำหรับ 1N4448 - Diotec Semiconductor
1N4448HLP-7##QQQQQQQQ1N4448Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N4448Taiwan Semiconductor CorporationDO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI
1N4448HLP-7-55Diodes Incorporated1N4446Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4438FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER
1N4446TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4446NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4446Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4448Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
1N4448-TRElectro-Films (EFI) / Vishay1N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4446onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448 T5CJ1N4448HLP-7-FDiodes Incorporated1N4448onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4448HLP-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN1N4448HLP-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที