ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBJ2510-F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - GBJ2510-F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - GBJ2510-F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 12.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ2510 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated GBJ2510-F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBJ2510-F | GBJ25L06 | GBJ25K | GBJ2510 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | GeneSiC Semiconductor | HY Electronic (Cayman) Limited |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 600 V | 800 V | 1 kV |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 12.5 A | 0.92 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A | 1 V @ 12.5 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | 25 A | 25 A | 25 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | - | Bulk | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | GBJ | GBJ | GBJ |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ2510 | - | GBJ25 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBJ2510-F PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ GBJ2510-F - Diodes Incorporated
GBJ25L06Diodes IncorporatedMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBJ TUB
GBJ2510FLITEON
GBJ2508FLITEGBJ25KGeneSiC Semiconductor800V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEGBJ2510HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBJ25JGeneSiC Semiconductor600V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
GBJ2508SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJGBJ2510SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJGBJ25ALITEON
GBJ25JSURGE25A -600V - GBJ - BRIDGEGBJ2510Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJGBJ2508-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
GBJ25KGood-Ark SemiconductorBRIDGE RECTIFIER, GENERAL PURPOS
GBJ2508Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 25A 6KBJGBJ2508GGBJ25MGeneSiC Semiconductor1000V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGGBJ2510Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 25A 6KBJGBJ25JLLITEON| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที