ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBJ25M
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - GBJ25M คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - GBJ25M
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 12.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ25 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor GBJ25M
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBJ25M | GBJ25L06 | GBJ25J | GBJ3510 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Diodes Incorporated | SURGE | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | 25 A | 3.5 A | 35 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | GBJ | GBJ(5S) | GBJ |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ25 | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | - | Bag | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 12.5 A | 0.92 V @ 12.5 A | 1 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 17.5 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 600 V | 600 V | 1 kV |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, KBJ | 4-SIP, GBJ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBJ25M PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ GBJ25M - GeneSiC Semiconductor
GBJ25JLLITEONGBJ25V10LITEONGBJ25L06Diodes IncorporatedMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBJ TUBGBJ25JSURGE25A -600V - GBJ - BRIDGEGBJ3510Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 35A 6KBJGBJ3510-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.6A GBJGBJ3508Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 35A 6KBJ
GBJ25KGeneSiC Semiconductor800V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
GBJ25KGood-Ark SemiconductorBRIDGE RECTIFIER, GENERAL PURPOS
GBJ3510SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBJGBJ3508SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBJGBJ25MSURGE25A -1000V - GBJ - BRIDGEGBJ25ALITEONGBJ2510FLITEON
GBJ3508HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBJ25V08LITEON
GBJ2510-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJGBJ25JGeneSiC Semiconductor600V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที