ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBJ25K
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - GBJ25K คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - GBJ25K
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 12.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ25 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor GBJ25K
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBJ25K | GBJ25J | GBJ2510 | GBJ3510 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | SURGE | Diodes Incorporated | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | 600 V | 1 kV | 1 kV |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ25 | - | GBJ2510 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bag | Tube | Box |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25 A | 3.5 A | 25 A | 35 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 12.5 A | 1 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 17.5 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | GBJ(5S) | GBJ | GBJ |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, KBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBJ25K PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ GBJ25K - GeneSiC Semiconductor
GBJ25JSURGE25A -600V - GBJ - BRIDGEGBJ2510Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJGBJ3510Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 35A 6KBJ
GBJ3508HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBJ3508Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 35A 6KBJ
GBJ25MGeneSiC Semiconductor1000V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDG
GBJ2510SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJGBJ25JGeneSiC Semiconductor600V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEGBJ25MSURGE25A -1000V - GBJ - BRIDGE
GBJ25ALITEONGBJ3508SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBJ
GBJ25KGood-Ark SemiconductorBRIDGE RECTIFIER, GENERAL PURPOSGBJ2510FLITEONGBJ2510-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJGBJ3510SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBJGBJ2510Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 25A 6KBJ
GBJ25L06Diodes IncorporatedMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBJ TUBGBJ25V10LITEON| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที