ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBPC3508W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - GBPC3508W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - GBPC3508W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 17.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC-W | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC-W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC3508 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor GBPC3508W
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBPC3508W | GBPC3508W | GBPC3508 | GBPC3508 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Yangjie Technology | Fairchild Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | QC Terminal |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC-W | GBPC-W | GBPC | GBPC |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC-W | 4-Square, GBPC-W | 4-Square, GBPC | 4-Square, GBPC |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35 A | 35 A | 35 A | 35 A |
| ชุด | - | - | GBP | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC3508 | - | - | - |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | 800 V | 800 V | 800 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBPC3508W PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ GBPC3508W - GeneSiC Semiconductor
GBPC3508WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 35A GBPCW-GGBPC3508Yangjie TechnologyDiodes - Bridge Rectifiers GBPCGBPC3508Fairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,GBPC3508Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC
GBPC3508WSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
GBPC3508WonsemiBRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
GBPC3508WFairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
GBPC3508Taiwan Semiconductor Corporation35A, 800V, STANDARD BRIDGE RECTI
GBPC3508SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC
GBPC3508HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE
GBPC3510onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPCGBPC3508WDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PH 800V 35A GBPC-W
GBPC3508-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC
GBPC3508-E4/1Electro-Films (EFI) / VishayGBPC3508WTaiwan Semiconductor Corporation35A, 800V, STANDARD BRIDGE RECTIGBPC3510Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1V 35A GBPCGBPC3510Taiwan Semiconductor Corporation35A, 1000V, STANDARD BRIDGE RECT
GBPC3510SURGE35A -1000V - GBPC - BRIDGE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที