ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBPC3510
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ SURGE - GBPC3510 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ SURGE - GBPC3510
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | SURGE | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 17.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | QC Terminal | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC35 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | 3A001 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ SURGE GBPC3510
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBPC3510 | GBPC3510W | GBPC3508W | GBPC3508-E4/51 |
| ผู้ผลิต | SURGE | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.1 V @ 17.5 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBPC35 | GBPC3510 | GBPC3508 | GBPC3508 |
| ชุด | - | GBPC | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bag | Tray | Tray | Box |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-Square, GBPC | 4-Square, GBPC-W | 4-Square, GBPC-W | 4-Square, GBPC |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 1 kV | 800 V | 800 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35 A | 35 A | 35 A | 35 A |
| ประเภทการติดตั้ง | QC Terminal | Through Hole | Through Hole | QC Terminal |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBPC | GBPC-W | GBPC-W | GBPC |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBPC3510 PDF และเอกสาร SURGE สำหรับ GBPC3510 - SURGE
GBPC3508-E4/1Electro-Films (EFI) / VishayGBPC3510WTaiwan Semiconductor Corporation35A, 1000V, STANDARD BRIDGE RECTGBPC3508WonsemiBRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-WGBPC3508-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC
GBPC3510SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPCGBPC3510Taiwan Semiconductor Corporation35A, 1000V, STANDARD BRIDGE RECT
GBPC3510onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
GBPC3508WFairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,GBPC3508WTaiwan Semiconductor Corporation35A, 800V, STANDARD BRIDGE RECTI
GBPC3510Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 35A GBPC
GBPC3510-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
GBPC3510Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1V 35A GBPC
GBPC3508WSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
GBPC3508WGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-WGBPC3508WDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PH 800V 35A GBPC-W
GBPC3510AMICIGBT Module
GBPC3508WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 35A GBPCW-G
GBPC3510Fairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที