ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MR2A08AYS35R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Everspin Technologies Inc. - MR2A08AYS35R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Everspin Technologies Inc. - MR2A08AYS35R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EverSpin Technologies, Inc. | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP2 | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR2A08 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Everspin Technologies Inc. MR2A08AYS35R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MR2A08AYS35R | MR2A16AYS35 | MR2A16AMA35 | MR2A08AMA35 |
| ผู้ผลิต | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP2 | 44-TSOP2 | 48-FBGA (8x8) | 48-FBGA (8x8) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 48-LFBGA | 48-LFBGA |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray | Tray |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR2A08 | MR2A16 | MR2A16 | MR2A08 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | RAM | RAM | RAM |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | 35ns | 35ns | 35ns |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 8 | 256K x 16 | 256K x 16 | 512K x 8 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MR2A08AYS35R PDF และเอกสาร Everspin Technologies Inc. สำหรับ MR2A08AYS35R - Everspin Technologies Inc.
MR27V852E-066JAOKIMR2A16AYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR2A16AMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAMR27V852DRAOKIMR2835SMOTOROLA
MR2835SKGonsemiTVS DIODE 23VWM TOP CANMR27V852DRAZ010OKIMR2A08AMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAMR2A16AVYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR2A16ACMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAMR27V852EJAZ03AOKIMR2940SHINDENGENMR27V852D-42RAOKIMR2A16ACYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR2835SKonsemiTVS DIODE 23VWM TOP CANMR2A16ACYS35REverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR27V852E-0D7ROKIMR2A16ATS35CNXP USA Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที