ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MR2A16AYS35
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Everspin Technologies Inc. - MR2A16AYS35 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Everspin Technologies Inc. - MR2A16AYS35
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | EverSpin Technologies, Inc. | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP2 | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256K x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR2A16 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Everspin Technologies Inc. MR2A16AYS35
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MR2A16AYS35 | MR2A16AVYS35 | MR2A16AMA35 | MR2A16ATS35C |
| ผู้ผลิต | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | NXP USA Inc. |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | RAM | RAM | RAM |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR2A16 | MR2A16 | MR2A16 | MR2A16 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 105°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 48-LFBGA | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP2 | 44-TSOP2 | 48-FBGA (8x8) | 44-TSOP II |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256K x 16 | 256K x 16 | 256K x 16 | 256K x 16 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | 35ns | 35ns | 35ns |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MR2A16AYS35 PDF และเอกสาร Everspin Technologies Inc. สำหรับ MR2A16AYS35 - Everspin Technologies Inc.
MR2940SHINDENGENMR2A16AVYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR27V852E-0D7ROKIMR2A16AMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAMR2A16ATS35CNXP USA Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IIMR2A16ACMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
MR2835SKonsemiTVS DIODE 23VWM TOP CANMR27V852EJAZ03AOKIMR27V852DRAZ010OKIMR2835SMOTOROLAMR27V852D-42RAOKIMR27V852E-066JAOKIMR2A16ACYS35REverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR2A08AMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAMR2835SKGonsemiTVS DIODE 23VWM TOP CANMR27V852DRAOKIMR2A08AYS35REverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR2A16ACYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที