ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MR2A16ATS35C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP USA Inc. - MR2A16ATS35C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP USA Inc. - MR2A16ATS35C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256K x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR2A16 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP USA Inc. MR2A16ATS35C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MR2A16ATS35C | MR2A16ACMA35 | MR2A16ACYS35R | MR2A08AYS35R |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. | Everspin Technologies Inc. |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 48-LFBGA | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256K x 16 | 256K x 16 | 256K x 16 | 512K x 8 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | 48-FBGA (8x8) | 44-TSOP2 | 44-TSOP2 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| รูปแบบหน่วยความจำ | RAM | RAM | RAM | RAM |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เทคโนโลยี | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 35ns | 35ns | 35ns | 35ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MR2A16 | MR2A16 | MR2A16 | MR2A08 |
| เวลาในการเข้าถึง | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MR2A16ATS35C PDF และเอกสาร NXP USA Inc. สำหรับ MR2A16ATS35C - NXP USA Inc.
MR27V852E-0D7ROKIMR27V852D-42RAOKIMR2835SMOTOROLAMR2A16ACMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAMR2A16ACYS35REverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR2A08AYS35REverspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR2A16AMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAMR2A16AYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2835SKonsemiTVS DIODE 23VWM TOP CANMR27V852DRAZ010OKIMR2940SHINDENGENMR27V852DRAOKIMR2A16AVYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR2A16ACYS35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2MR27V852EJAZ03AOKIMR2835SKGonsemiTVS DIODE 23VWM TOP CANMR2A08AMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAMR27V852E-066JAOKI| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที