ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5402
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - 1N5402 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - 1N5402
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 nA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5402 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor 1N5402
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5402 | 1N5401G | 1N5402 | 1N5402 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | NTE Electronics, Inc |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 25pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201 | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5402 | - | 1N5402 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 nA @ 200 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 100 V | 200 V | 200 V |
1N5401GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5402onsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5402NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5401TRAMI Semiconductor/onsemi1N5401GGood-Ark SemiconductorRECTIFIER, GENERAL PURPOSE, GLAS1N5401GonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
1N5402-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5402GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5401GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD1N5402 T/BPANJIT1N5401RLonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5402RLonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL1N5402GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5402-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5402Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A DO2011N5402GonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
1N5402SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5401RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที