ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH20N6S2D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FGH20N6S2D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FGH20N6S2D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 7A | |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 7.7ns/87ns | |
| การสลับพลังงาน | 25µJ (on), 58µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 31 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 125 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 40 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 28 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FGH20N6S2D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH20N6S2D | FGH25N120FTDS | FGH30N120FTDTU | FGH30N60LSDTU |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 7.7ns/87ns | 26ns/151ns | - | 18ns/250ns |
| ประเภท IGBT | - | Trench Field Stop | Trench Field Stop | - |
| การสลับพลังงาน | 25µJ (on), 58µJ (off) | 1.42mJ (on), 1.16mJ (off) | - | 1.1mJ (on), 21mJ (off) |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | 169 nC | 208 nC | 225 nC |
| ชุด | - | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 7A | 2V @ 15V, 25A | 2V @ 15V, 30A | 1.4V @ 15V, 30A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | 600V, 25A, 10Ohm, 15V | - | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 125 W | 313 W | 339 W | 480 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 31 ns | 535 ns | 730 ns | 35 ns |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 28 A | 50 A | 60 A | 60 A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 40 A | 75 A | 90 A | 90 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1200 V | 1200 V | 600 V |
FGH25N120FTDSonsemiIGBT 1200V 50A 313W TO247FGH30N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 60A 339W TO247FGH30N60LSDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH20N6S2DonsemiIGBT 600V 28A 125W TO247FGH20N60SFDTU-F085Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH20N60SFDFairchild (onsemi)FGH20N60UFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3FGH30N120FTDTUFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH30N60LSDTUonsemiIGBT 600V 60A TO247-3FGH20N60SFDTU-F085onsemiIGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3FGH20N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH25T120SMD-F155onsemiIGBT 1200V 50A 428W TO247-3FGH20N6S2onsemiIGBT 600V 28A 125W TO247FGH20N60UFDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH30N120FTDFairchild (onsemi)FGH20N60SFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3FGH20N60UFDFairchild (onsemi)FGH25T120SMDFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที