ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH30N120FTDTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FGH30N120FTDTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FGH30N120FTDTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 730 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 339 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 208 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 90 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FGH30N120FTDTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH30N120FTDTU | FGH30N60LSDTU | FGH30N60LSDTU | FGH25N120FTDS |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| การสลับพลังงาน | - | 1.1mJ (on), 21mJ (off) | 1.1mJ (on), 21mJ (off) | 1.42mJ (on), 1.16mJ (off) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | - | - | Trench Field Stop |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 60 A | 60 A | 60 A | 50 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 208 nC | 225 nC | 225 nC | 169 nC |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 90 A | 90 A | 90 A | 75 A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | 18ns/250ns | 18ns/250ns | 26ns/151ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 730 ns | 35 ns | 35 ns | 535 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 |
| ทดสอบสภาพ | - | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2V @ 15V, 30A | 1.4V @ 15V, 30A | 1.4V @ 15V, 30A | 2V @ 15V, 25A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 339 W | 480 W | 480 W | 313 W |
FGH30N60LSDTUonsemiIGBT 600V 60A TO247-3FGH30N60S2Fairchild (onsemi)FGH30N60LSDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH30N60LSDFairchild (onsemi)FGH25N120FTDSonsemiIGBT 1200V 50A 313W TO247FGH25T120SMD-F155onsemiIGBT 1200V 50A 428W TO247-3FGH20N6S2onsemiIGBT 600V 28A 125W TO247FGH30S130PonsemiIGBT 1300V 60A 500W TO-247ABFGH30N6S2DonsemiIGBT 600V 45A 167W TO247FGH30N6S2onsemiIGBT 600V 45A 167W TO247FGH20N60UFDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH30N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 60A 339W TO247FGH30N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH30N120FTDFairchild (onsemi)FGH20N6S2DonsemiIGBT 600V 28A 125W TO247FGH20N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH20N6S2DFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH25T120SMDFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที