ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH50N6S2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FGH50N6S2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FGH50N6S2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 13ns/55ns | |
| การสลับพลังงาน | 260µJ (on), 250µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 463 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 70 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 240 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FGH50N6S2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH50N6S2 | FGH40T65SPD-F085 | FGH50N6S2 | FGH50N3 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | 80 A | 75 A | 75 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 463 W | 267 W | 463 W | 463 W |
| ประเภท IGBT | - | NPT | - | PT |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 70 nC | 36 nC | 70 nC | 180 nC |
| การสลับพลังงาน | 260µJ (on), 250µJ (off) | 1.16mJ (on), 270µJ (off) | 260µJ (on), 250µJ (off) | 130µJ (on), 92µJ (off) |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 240 A | 120 A | 240 A | 240 A |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | 400V, 40A, 6Ohm, 15V | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | 180V, 30A, 5Ohm, 15V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 650 V | 600 V | 300 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 13ns/55ns | 18ns/35ns | 13ns/55ns | 20ns/135ns |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 30A | 2.4V @ 15V, 40A | 2.7V @ 15V, 30A | 1.4V @ 15V, 30A |
FGH40T70SHDFairchild (onsemi)FGH40T65SPD-F085onsemiIGBT NPT 650V 80A TO247-3FGH50N6S2onsemiIGBT 600V 75A 463W TO247FGH47N60FAMI Semiconductor/onsemiFGH40T65SQDAMI Semiconductor/onsemiFGH50N3onsemiIGBT PT 300V 75A TO247-3FGH50N6S2DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH50T65UPDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3FGH50T65UPDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH60N60SFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH50T65SQD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3FGH60N60FDSFGH50N6S2DonsemiIGBT 600V 75A TO247-3FGH40T65SQD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3FGH40T65UPDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3FGH60N60SFDFairchild (onsemi)FGH50N3Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH60N60SFFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที