ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTP12N60C3D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - HGTP12N60C3D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - HGTP12N60C3D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 15V, 15A | |
| ทดสอบสภาพ | - | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | |
| การสลับพลังงาน | 380µJ (on), 900µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 40 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 104 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 48 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 96 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 24 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor HGTP12N60C3D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTP12N60C3D | HGTP12N60A4 | HGTP12N60C3D | HGTP12N60C3 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| ทดสอบสภาพ | - | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การสลับพลังงาน | 380µJ (on), 900µJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) | 380µJ (on), 900µJ (off) | 380µJ (on), 900µJ (off) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 48 nC | 78 nC | 48 nC | 48 nC |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 40 ns | - | 40 ns | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 15V, 15A | 2.7V @ 15V, 12A | 2.2V @ 15V, 15A | 2V @ 15V, 12A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 96 A | 96 A | 96 A | 96 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 104 W | 167 W | 104 W | 104 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | - | 17ns/96ns | - | - |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 24 A | 54 A | 24 A | 24 A |
HGTP12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO220AB
HGTP14N40F3VLFairchild (onsemi)HGTP14N41G3Fairchild (onsemi)HGTP12N60C3DonsemiIGBT 600V 24A TO220-3HGTP20N60B3HARRISHGTP12N60C3onsemiIGBT 600V 24A 104W TO220ABHGTP11N120CNDFairchild (onsemi)HGTP12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A TO220-3HGTP12N60A4Fairchild SemiconductorUFS SERIES N-CH IGBTHGTP20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO220-3HGTP20N60C3Fairchild (onsemi)HGTP12N60A4DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP1N120BNDFairchild (onsemi)HGTP12N60A4 12N60A4FSCHGTP1N120CNDFairchild (onsemi)HGTP12N60A4Harris CorporationHGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, U
HGTP12N60B3DIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTP14N36G3VLFairchild SemiconductorInsulated Gate Bipolar Transisto| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที