ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1184R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N1184R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N1184R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 35 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1184R |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N1184R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1184R | 1N1186 | 1N1186A | 1N1184AR |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 35 A | 1.4 V @ 110 A | 1.2 V @ 30 A | 1.19 V @ 90 A |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 12A | 40A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | - | 100 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1184R | - | - | 1N1184 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | - | 10 µA @ 100 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) | DO-4 | DO-203AB (DO-5) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1184R PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N1184R - GeneSiC Semiconductor
1N1186Microchip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO51N1186ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1184ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1184AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1184ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1184Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1184RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1186AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N1184AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 40A DO51N1184ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N1184Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1185Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1184RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1185Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1186GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 35A DO51N1186Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO41N1184RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO41N1185ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที