ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1200A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N1200A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N1200A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N1200A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1200A | 1N1199BR | 1N1199R | 1N1200A |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1200 | 1N1199 | - | 1N1200 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 50 V | 50 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1200A PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N1200A - GeneSiC Semiconductor
1N1199BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1200AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
1N1200ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1200BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1200BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 12A DO41N1200RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1199RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที