ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1200AR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N1200AR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N1200AR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N1200AR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1200AR | 1N1200A | 1N1200A | 1N1199R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Box |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | 1.1 V @ 12 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 | DO-4 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1200 | 1N1200 | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1200AR PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N1200AR - Microchip Technology
1N1200AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1199RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1200RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
1N1200Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1200BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N1199RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N1200ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1200CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1201Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 12A DO41N1200RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1200AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO41N1200RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1200BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1199RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที